IRLD110PBF | Vishay / Siliconix IRLD110PBF | IRLD110PBF Inventory, Best Pricing

IRLD110PBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRLD110PBF
LIXINC Part #	IRLD110PBF
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRLD110PBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRLD110PBF Технические характеристики

номер части:	IRLD110PBF
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4V, 5V
rds on (max) @ id, vgs:	540mOhm @ 600mA, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6.1 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	250 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.3W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
упаковка / чехол:	4-DIP (0.300", 7.62mm)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015