SI3473DDV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI3473DDV-T1-GE3 | SI3473DDV-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI3473DDV-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SI3473DDV-T1-GE3
LIXINC Part #	SI3473DDV-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SI3473DDV-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SI3473DDV-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SI3473DDV-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET® Gen III
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	12 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	8A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	57 nC @ 8 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1975 pF @ 6 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.6W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-TSOP
упаковка / чехол:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015