Только для справки
| номер части | TK6P60W,RVQ |
| LIXINC Part # | TK6P60W,RVQ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK6P60W,RVQ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK6P60W,RVQ |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | DTMOSIV |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6.2A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 820mOhm @ 3.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.7V @ 310µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 390 pF @ 300 V |
| Фет-функция: | Super Junction |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 60W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DPAK |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| IPP032N06N3GXKSA1 | IPP032N06 - 12V-300V N-CHANNEL P | 880 Подробнее о заказе |
|
| BTS112AE3045ANTMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2439 Подробнее о заказе |
|
| SI7812DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8 | 7986 Подробнее о заказе |
|
| NTD4809NA-1G | MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK | 86873 Подробнее о заказе |
|
| FDMC8010DC | MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN | 3197 Подробнее о заказе |
|
| IPD85P04P407ATMA2 | MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 | 922 Подробнее о заказе |
|
| SIHA25N60EFL-E3 | MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220 | 903 Подробнее о заказе |
|
| SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8 | 3495 Подробнее о заказе |
|
| SIHF540STRL-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 854 Подробнее о заказе |
|
| AONS66612 | MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN | 4851 Подробнее о заказе |
|
| IXFX66N85X | MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3 | 9187 Подробнее о заказе |
|
| STP32NM50N | MOSFET N CH 500V 22A TO-220 | 926 Подробнее о заказе |
|
| PMN25ENEH | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP | 830 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10806 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.87615 | $0.87615 |
| 2000 | $0.87615 | $1752.3 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.