Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD85P04P407ATMA2

IPD85P04P407ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD85P04P407ATMA2
LIXINC Part # IPD85P04P407ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD85P04P407ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD85P04P407ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD85P04P407ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:85A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:7.3mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:89 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6085 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):88W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-313
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIHA25N60EFL-E3 SIHA25N60EFL-E3 MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220 831

Подробнее о заказе
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8 3452

Подробнее о заказе
SIHF540STRL-GE3 SIHF540STRL-GE3 MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK 995

Подробнее о заказе
AONS66612 AONS66612 MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN 4951

Подробнее о заказе
IXFX66N85X IXFX66N85X MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3 9264

Подробнее о заказе
STP32NM50N STP32NM50N MOSFET N CH 500V 22A TO-220 940

Подробнее о заказе
PMN25ENEH PMN25ENEH MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP 930

Подробнее о заказе
RSH140N03TB1 RSH140N03TB1 MOSFET N-CH 30V 14A 8SOP 977

Подробнее о заказе
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON 2738

Подробнее о заказе
IXFP14N60P IXFP14N60P MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB 831

Подробнее о заказе
IRFU3910PBF IRFU3910PBF MOSFET N-CH 100V 16A IPAK 825

Подробнее о заказе
TK16E60W,S1VX TK16E60W,S1VX MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220 981

Подробнее о заказе
STB40NF20 STB40NF20 MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK 2185

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10954 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.65000$1.65

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top