IPD65R660CFDATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD65R660CFDATMA1 | IPD65R660CFDATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD65R660CFDATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD65R660CFDATMA1
LIXINC Part #	IPD65R660CFDATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD65R660CFDATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD65R660CFDATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD65R660CFDATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	615 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	62.5W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI2319DS-T1-E3	MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3	909 Подробнее о заказе
SI4116DY-T1-GE3	MOSFET N-CH 25V 18A 8SO	17461 Подробнее о заказе
LSIC1MO170E1000	SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L	887 Подробнее о заказе
SUP60020E-GE3	MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB	1533 Подробнее о заказе
BTS114AE3045A	N-CHANNEL POWER MOSFET	13137 Подробнее о заказе
IRFS5615TRLPBF	IRFS5615 - DIGITAL AUDIO MOSFET	962 Подробнее о заказе
FDMS3662	MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN	11512 Подробнее о заказе
RQ6E085BNTCR	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457	1846 Подробнее о заказе
APT43M60L	MOSFET N-CH 600V 45A TO264	859 Подробнее о заказе
FCPF850N80Z	MOSFET N-CH 800V 6A TO220F	15332 Подробнее о заказе
NTP90N02G	MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB	5480 Подробнее о заказе
5LN01C-TB-E	N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET, 5	126134 Подробнее о заказе
SPA11N65C3	MOSFET N-CH 650V 11A TO220	1399 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.76475	$0.76475
2500	$0.76475	$1911.875

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015