FDMS3662

FDMS3662
Увеличить

Только для справки

номер части FDMS3662
LIXINC Part # FDMS3662
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDMS3662 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMS3662 Технические характеристики

номер части:FDMS3662
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:8.9A (Ta), 49A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:14.8mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:75 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4620 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-PQFN (5x6)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

RQ6E085BNTCR RQ6E085BNTCR MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457 1869

Подробнее о заказе

APT43M60L APT43M60L MOSFET N-CH 600V 45A TO264 825

Подробнее о заказе

FCPF850N80Z FCPF850N80Z MOSFET N-CH 800V 6A TO220F 15345

Подробнее о заказе

NTP90N02G NTP90N02G MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB 5449

Подробнее о заказе

5LN01C-TB-E 5LN01C-TB-E N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET, 5 126133

Подробнее о заказе

SPA11N65C3 SPA11N65C3 MOSFET N-CH 650V 11A TO220 1337

Подробнее о заказе

FQD2N60CTF FQD2N60CTF MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK 825

Подробнее о заказе

RM8N700LD RM8N700LD MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252-2 975

Подробнее о заказе

APT14M120S APT14M120S MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK 1001

Подробнее о заказе

FDD050N03B FDD050N03B MOSFET N-CH 30V 50A DPAK 4180

Подробнее о заказе

1HP04CH-TL-W 1HP04CH-TL-W MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH 11551

Подробнее о заказе

IRF322 IRF322 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET 998

Подробнее о заказе

IPP70N10SL16AKSA1 IPP70N10SL16AKSA1 MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3-1 1249

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11412 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.92000$2.92
3000$1.47136$4414.08
6000$1.41997$8519.82

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top