Только для справки
| номер части | 2SJ661-1E |
| LIXINC Part # | 2SJ661-1E |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | 2SJ661-1E След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | 2SJ661-1E |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 38A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 39mOhm @ 19A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 80 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4360 pF @ 20 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1.65W (Ta), 65W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-262-3 |
| упаковка / чехол: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| PSMN7R6-100BSEJ | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 4400 Подробнее о заказе |
|
| TK62N60X,S1F | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247 | 1232 Подробнее о заказе |
|
| FDB7030L | MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB | 65729 Подробнее о заказе |
|
| IPB45P03P4L11ATMA1 | MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3-2 | 835 Подробнее о заказе |
|
| R6030MNX | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM | 1185 Подробнее о заказе |
|
| FQB9N25TM | MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK | 964 Подробнее о заказе |
|
| IRLR7843TRPBF | IRLR7843 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 3732 Подробнее о заказе |
|
| SIHA6N65E-E3 | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 | 1116 Подробнее о заказе |
|
| APT43M60B2 | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | 902 Подробнее о заказе |
|
| TK5Q65W,S1Q | MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK | 873 Подробнее о заказе |
|
| IRL2203NPBF-INF | HEXFET POWER MOSFET | 898 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C430NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN | 10828 Подробнее о заказе |
|
| SI7806ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 | 984 Подробнее о заказе |
| В наличии | 15531 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.36000 | $2.36 |
| 50 | $1.90580 | $95.29 |
| 100 | $1.71520 | $171.52 |
| 500 | $1.33402 | $667.01 |
| 1000 | $1.10534 | $1105.34 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.