Только для справки
| номер части | FQB9N25TM |
| LIXINC Part # | FQB9N25TM |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQB9N25TM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQB9N25TM |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 250 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 9.4A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 420mOhm @ 4.7A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 700 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.13W (Ta), 90W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| IRLR7843TRPBF | IRLR7843 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 3788 Подробнее о заказе |
|
| SIHA6N65E-E3 | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 | 1155 Подробнее о заказе |
|
| APT43M60B2 | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | 898 Подробнее о заказе |
|
| TK5Q65W,S1Q | MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK | 910 Подробнее о заказе |
|
| IRL2203NPBF-INF | HEXFET POWER MOSFET | 815 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C430NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN | 10985 Подробнее о заказе |
|
| SI7806ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 | 843 Подробнее о заказе |
|
| IXTH48P20P | MOSFET P-CH 200V 48A TO247 | 3011 Подробнее о заказе |
|
| SI4776DY-T1-GE3 | MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO | 2700 Подробнее о заказе |
|
| AOSS32136C | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 | 15163 Подробнее о заказе |
|
| 3LN01S-K-TL-E | MOSFET N-CH 30V 0.15A SMCP | 126870 Подробнее о заказе |
|
| ZXM61N02FTC | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | 10828 Подробнее о заказе |
|
| FQI27N25TU | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 23961 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10943 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.53000 | $0.53 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.