IPT60R080G7XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IPT60R080G7XTMA1 | IPT60R080G7XTMA1 Inventory, Best Pricing

IPT60R080G7XTMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPT60R080G7XTMA1
LIXINC Part #	IPT60R080G7XTMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPT60R080G7XTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPT60R080G7XTMA1 Технические характеристики

номер части:	IPT60R080G7XTMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ G7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	29A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 490µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1640 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	167W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-HSOF-8-2
упаковка / чехол:	8-PowerSFN

FQPF13N06L	MOSFET N-CH 60V 10A TO220F	16057838 Подробнее о заказе
DMT47M2SFVW-7	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333	10872 Подробнее о заказе
DMT4005SCT	MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB	4112 Подробнее о заказе
DMG2305UX-13	MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23	716340 Подробнее о заказе
CSD18504Q5AT	MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON	2881 Подробнее о заказе
BSP129H6906XTSA1	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4	1376 Подробнее о заказе
SIR690DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8	3189 Подробнее о заказе
SIHH080N60E-T1-GE3	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8	848 Подробнее о заказе
NTMFS4934NT1G	MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN	1141 Подробнее о заказе
IPD50R1K4CEBTMA1	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3	827 Подробнее о заказе
SFR9120TM	P-CHANNEL POWER MOSFET	30618 Подробнее о заказе
IRF9630STRLPBF	MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK	801 Подробнее о заказе
ISC019N03L5SATMA1	MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON	10725 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$6.86000	$6.86
2000	$3.89087	$7781.74

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015