Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSP129H6906XTSA1

BSP129H6906XTSA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSP129H6906XTSA1
LIXINC Part # BSP129H6906XTSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSP129H6906XTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSP129H6906XTSA1 Технические характеристики

номер части:BSP129H6906XTSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:SIPMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):240 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:350mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):0V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6Ohm @ 350mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:1V @ 108µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:5.7 nC @ 5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:108 pF @ 25 V
Фет-функция:Depletion Mode
рассеиваемая мощность (макс.):1.8W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223-4
упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA

BSP129H6906XTSA1 Документы

if BSP129H6906XTSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIR690DP-T1-GE3 SIR690DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8 3319

Подробнее о заказе
SIHH080N60E-T1-GE3 SIHH080N60E-T1-GE3 E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 876

Подробнее о заказе
NTMFS4934NT1G NTMFS4934NT1G MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN 1257

Подробнее о заказе
IPD50R1K4CEBTMA1 IPD50R1K4CEBTMA1 MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3 890

Подробнее о заказе
SFR9120TM SFR9120TM P-CHANNEL POWER MOSFET 30647

Подробнее о заказе
IRF9630STRLPBF IRF9630STRLPBF MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK 872

Подробнее о заказе
ISC019N03L5SATMA1 ISC019N03L5SATMA1 MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON 10615

Подробнее о заказе
RJK03M7DPA-00#J5A RJK03M7DPA-00#J5A MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK 9891

Подробнее о заказе
BUK663R5-55C,118 BUK663R5-55C,118 PFET, 120A I(D), 55V, 0.005OHM, 2397

Подробнее о заказе
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33 806

Подробнее о заказе
STW69N65M5-4 STW69N65M5-4 MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L 1292

Подробнее о заказе
BSC040N10NS5SCATMA1 BSC040N10NS5SCATMA1 MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8 1930

Подробнее о заказе
BUK625R2-30C,118 BUK625R2-30C,118 MOSFET N-CH 30V 90A DPAK 27534

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11423 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.04000$1.04
1000$0.52801$528.01
2000$0.49644$992.88
5000$0.47434$2371.7
10000$0.45856$4585.6
25000$0.45627$11406.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top