Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB120N10S405ATMA1
LIXINC Part # IPB120N10S405ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB120N10S405ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB120N10S405ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB120N10S405ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 120µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:91 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6540 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):190W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB120N10S405ATMA1 Документы

if IPB120N10S405ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STD8NF25 STD8NF25 MOSFET N-CH 250V 8A DPAK 846

Подробнее о заказе
SIR470DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 5863

Подробнее о заказе
PMZB550UNEYL PMZB550UNEYL MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3 2292

Подробнее о заказе
BSD816SNH6327XTSA1 BSD816SNH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6 1000

Подробнее о заказе
IXTY32P05T IXTY32P05T MOSFET P-CH 50V 32A TO252 4655

Подробнее о заказе
FDMS8560S FDMS8560S 35A, 25V, 0.0018OHM, N-CHANNEL, 23446

Подробнее о заказе
STB33N65M2 STB33N65M2 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 3669

Подробнее о заказе
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3 968

Подробнее о заказе
HUF76437S3S HUF76437S3S MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK 5826

Подробнее о заказе
APT5016BFLLG APT5016BFLLG MOSFET N-CH 500V 30A TO247 955

Подробнее о заказе
IPD90R1K2C3ATMA1 IPD90R1K2C3ATMA1 MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 5152

Подробнее о заказе
TSM061NA03CR RLG TSM061NA03CR RLG MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN 875

Подробнее о заказе
FDB12N50TM FDB12N50TM MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK 1745

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10966 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.74125$1.74125
1000$1.74125$1741.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top