SIR470DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIR470DP-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIR470DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIR470DP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIR470DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIR470DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIR470DP-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	60A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	155 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5660 pF @ 20 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

PMZB550UNEYL	MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3	2311 Подробнее о заказе
BSD816SNH6327XTSA1	MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6	883 Подробнее о заказе
IXTY32P05T	MOSFET P-CH 50V 32A TO252	4671 Подробнее о заказе
FDMS8560S	35A, 25V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,	23465 Подробнее о заказе
STB33N65M2	MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK	3682 Подробнее о заказе
IPD70R600P7SAUMA1	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3	908 Подробнее о заказе
HUF76437S3S	MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK	5762 Подробнее о заказе
APT5016BFLLG	MOSFET N-CH 500V 30A TO247	933 Подробнее о заказе
IPD90R1K2C3ATMA1	MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3	5019 Подробнее о заказе
TSM061NA03CR RLG	MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN	959 Подробнее о заказе
FDB12N50TM	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK	1775 Подробнее о заказе
MCH3475-TL-E	MOSFET N-CH 30V 1.8A SC70	1785 Подробнее о заказе
BSP320SL6327	SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	3815 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015