Только для справки
| номер части | IPN60R2K1CEATMA1 |
| LIXINC Part # | IPN60R2K1CEATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPN60R2K1CEATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPN60R2K1CEATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 3.7A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.1Ohm @ 800mA, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 60µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 6.7 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 140 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | Super Junction |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 5W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-SOT223 |
| упаковка / чехол: | SOT-223-3 |
| RCX450N20 | MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM | 1246 Подробнее о заказе |
|
| CSD18540Q5BT | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON | 10561 Подробнее о заказе |
|
| STW70N60DM6-4 | MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4 | 1128 Подробнее о заказе |
|
| RS1L145GNTB | MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP | 3061 Подробнее о заказе |
|
| RW1A020ZPT2R | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 | 7690 Подробнее о заказе |
|
| IXFX64N50P | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3 | 868 Подробнее о заказе |
|
| XP235N2001TR-G | MOSFET N-CH 30V 2A SOT23 | 3818 Подробнее о заказе |
|
| PMZB950UPE315 | P-CHANNEL MOSFET | 896 Подробнее о заказе |
|
| BSC900N20NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8 | 21045 Подробнее о заказе |
|
| IXTA36N30P | MOSFET N-CH 300V 36A TO263 | 868 Подробнее о заказе |
|
| XP231P02013R-G | MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3 | 3994 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C646NLWFAFT1G | MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN | 119487 Подробнее о заказе |
|
| MTP1N60E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 23965 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11705 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.53000 | $0.53 |
| 3000 | $0.21544 | $646.32 |
| 6000 | $0.20294 | $1217.64 |
| 15000 | $0.19044 | $2856.6 |
| 30000 | $0.18168 | $5450.4 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.