IPN60R2K1CEATMA1

IPN60R2K1CEATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPN60R2K1CEATMA1
LIXINC Part # IPN60R2K1CEATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPN60R2K1CEATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPN60R2K1CEATMA1 Технические характеристики

номер части:IPN60R2K1CEATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:3.7A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.1Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 60µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:6.7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:140 pF @ 100 V
Фет-функция:Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.):5W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223
упаковка / чехол:SOT-223-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

RCX450N20 RCX450N20 MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM 1121

Подробнее о заказе

CSD18540Q5BT CSD18540Q5BT MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 10501

Подробнее о заказе

STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4 1002

Подробнее о заказе

RS1L145GNTB RS1L145GNTB MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP 3153

Подробнее о заказе

RW1A020ZPT2R RW1A020ZPT2R MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 7548

Подробнее о заказе

IXFX64N50P IXFX64N50P MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3 834

Подробнее о заказе

XP235N2001TR-G XP235N2001TR-G MOSFET N-CH 30V 2A SOT23 3927

Подробнее о заказе

PMZB950UPE315 PMZB950UPE315 P-CHANNEL MOSFET 987

Подробнее о заказе

BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8 20994

Подробнее о заказе

IXTA36N30P IXTA36N30P MOSFET N-CH 300V 36A TO263 842

Подробнее о заказе

XP231P02013R-G XP231P02013R-G MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3 3879

Подробнее о заказе

NVMFS5C646NLWFAFT1G NVMFS5C646NLWFAFT1G MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN 119306

Подробнее о заказе

MTP1N60E MTP1N60E N-CHANNEL POWER MOSFET 24026

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11737 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.53000$0.53
3000$0.21544$646.32
6000$0.20294$1217.64
15000$0.19044$2856.6
30000$0.18168$5450.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top