Только для справки
| номер части | FDB8441 |
| LIXINC Part # | FDB8441 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDB8441 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDB8441 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 28A (Ta), 120A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.5mOhm @ 80A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 280 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 15000 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 300W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-263AB |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| AUIRF2804S-7P | PFET, 240A I(D), 40V, 0.0016OHM, | 6342 Подробнее о заказе |
|
| SPA20N60C3XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31 | 5043 Подробнее о заказе |
|
| IPD90N06S407ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 | 3499 Подробнее о заказе |
|
| FQU20N06TU | MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK | 23616 Подробнее о заказе |
|
| IRLR8259PBF | HEXFET POWER MOSFET | 826 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS6D1N08HT1G | MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN | 837 Подробнее о заказе |
|
| RF1S50N06SM9A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10807 Подробнее о заказе |
|
| IPW60R165CP | 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M | 881 Подробнее о заказе |
|
| IRFR8314TRPBF | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | 2666 Подробнее о заказе |
|
| NP20P06SLG-E1-AY | MOSFET P-CH 60V 20A TO252 | 932 Подробнее о заказе |
|
| FQD20N06LETM | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK | 65778 Подробнее о заказе |
|
| DMTH6016LFDFWQ-7 | MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN | 6868 Подробнее о заказе |
|
| FDBL0260N100 | MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF | 871 Подробнее о заказе |
| В наличии | 188755353 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.48000 | $3.48 |
| 800 | $1.94234 | $1553.872 |
| 1600 | $1.81285 | $2900.56 |
| 2400 | $1.72221 | $4133.304 |
| 5600 | $1.65747 | $9281.832 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.