Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD90N06S407ATMA2

IPD90N06S407ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD90N06S407ATMA2
LIXINC Part # IPD90N06S407ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD90N06S407ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD90N06S407ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD90N06S407ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:6.9mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 40µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:-
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):79W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD90N06S407ATMA2 Документы

if IPD90N06S407ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQU20N06TU FQU20N06TU MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK 23605

Подробнее о заказе
IRLR8259PBF IRLR8259PBF HEXFET POWER MOSFET 855

Подробнее о заказе
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 832

Подробнее о заказе
RF1S50N06SM9A RF1S50N06SM9A N-CHANNEL POWER MOSFET 10767

Подробнее о заказе
IPW60R165CP IPW60R165CP 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M 970

Подробнее о заказе
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF MOSFET N-CH 30V 90A DPAK 2654

Подробнее о заказе
NP20P06SLG-E1-AY NP20P06SLG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 20A TO252 893

Подробнее о заказе
FQD20N06LETM FQD20N06LETM MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK 65818

Подробнее о заказе
DMTH6016LFDFWQ-7 DMTH6016LFDFWQ-7 MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN 6955

Подробнее о заказе
FDBL0260N100 FDBL0260N100 MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF 825

Подробнее о заказе
STW5NK100Z STW5NK100Z MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3 971

Подробнее о заказе
TSM35N10CP ROG TSM35N10CP ROG MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252 7578

Подробнее о заказе
IRFI720GPBF IRFI720GPBF MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3 1717

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13432 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.44000$1.44
2500$0.63764$1594.1

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top