Только для справки
| номер части | TK1R4F04PB,LXGQ |
| LIXINC Part # | TK1R4F04PB,LXGQ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK1R4F04PB,LXGQ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK1R4F04PB,LXGQ |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSIX-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 160A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.9mOhm @ 80A, 6V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 500µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 103 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 5500 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 205W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 175°C |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-220SM(W) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| TP65H070LDG | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN | 1591 Подробнее о заказе |
|
| CSD18540Q5B | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON | 970 Подробнее о заказе |
|
| FDS2572 | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC | 984 Подробнее о заказе |
|
| R6515ENJTL | MOSFET N-CH 650V 15A LPTS | 1022 Подробнее о заказе |
|
| IRFW610BTMFP001 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2401 Подробнее о заказе |
|
| STP42N60M2-EP | MOSFET N-CH 600V 34A TO220 | 1003 Подробнее о заказе |
|
| STU4N52K3 | MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK | 840 Подробнее о заказе |
|
| SI3459BDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP | 15685 Подробнее о заказе |
|
| 2SK2499-AZ | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15477 Подробнее о заказе |
|
| C3M0032120D | SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3 | 801 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ387L-E | P-CHANNEL POWER MOSFET | 1421 Подробнее о заказе |
|
| RD3P130SPFRATL | MOSFET P-CH 100V 13A TO252 | 2709 Подробнее о заказе |
|
| IRLZ24PBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB | 1847 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12988 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.86000 | $2.86 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.