TP65H070LDG | Transphorm TP65H070LDG | TP65H070LDG Inventory, Best Pricing

TP65H070LDG

Увеличить

Только для справки

номер части	TP65H070LDG
LIXINC Part #	TP65H070LDG
Производитель	Transphorm
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TP65H070LDG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 22 - Jan 26 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TP65H070LDG Технические характеристики

номер части:	TP65H070LDG
Бренд:	Transphorm
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Transphorm
ряд:	TP65H070L
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	25A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.8V @ 700µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	600 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	96W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	3-PQFN (8x8)
упаковка / чехол:	3-PowerDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$12.98000	$12.98

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015