BSZ0910LSATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ0910LSATMA1 | BSZ0910LSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ0910LSATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSZ0910LSATMA1
LIXINC Part #	BSZ0910LSATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSZ0910LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSZ0910LSATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSZ0910LSATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™ 5
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	18A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1100 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.1W (Ta), 37W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TSDSON-8-FL
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

IPB80N04S404ATMA1	MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2	839 Подробнее о заказе
STB60NF06LT4	MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK	2351 Подробнее о заказе
DMNH4011SPS-13	MOSFET N-CH 40V 13A PWRDI5060	976 Подробнее о заказе
DMT68M8LPS-13	MOSFET N-CH 60V PWRDI5060	3498 Подробнее о заказе
AO3162	MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23	880 Подробнее о заказе
IPA50R650CEZKSA2	N-CHANNEL POWER MOSFET	968 Подробнее о заказе
SPP02N80C3XKSA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	29909 Подробнее о заказе
IPL65R195C7AUMA1	MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON	3747 Подробнее о заказе
PSMN2R0-30BL,118	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	923 Подробнее о заказе
PH7030AL,115	MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK56	45846 Подробнее о заказе
FDC6308P	P-CHANNEL MOSFET	42948 Подробнее о заказе
IPZ60R099P6FKSA1	PFET, 600V, 0.099OHM, 1-ELEMENT,	959 Подробнее о заказе
SI7106DN-T1-E3	MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8	18069 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.70000	$0.7

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015