Только для справки
| номер части | IPZ60R099P6FKSA1 |
| LIXINC Part # | IPZ60R099P6FKSA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | PFET, 600V, 0.099OHM, 1-ELEMENT, |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPZ60R099P6FKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPZ60R099P6FKSA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ P6 |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 37.9A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 99mOhm @ 14.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 1.21mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 70 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3.33 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 278W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO247-4 |
| упаковка / чехол: | TO-247-4 |
| SI7106DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8 | 18067 Подробнее о заказе |
|
| TK6R7P06PL,RQ | MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK | 858 Подробнее о заказе |
|
| DMT10H015LSS-13 | MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO | 5165 Подробнее о заказе |
|
| BUZ73A | MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 | 27295 Подробнее о заказе |
|
| SI7810DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 | 2202 Подробнее о заказе |
|
| SIR870ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | 2630 Подробнее о заказе |
|
| SI8497DB-T2-E1 | MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT | 5991 Подробнее о заказе |
|
| IRFF313 | 1.15A, 350V, 5OHM, N-CHANNEL POW | 960 Подробнее о заказе |
|
| IXTT11P50 | MOSFET P-CH 500V 11A TO268 | 3631 Подробнее о заказе |
|
| FDS6064N7 | MOSFET N-CH 20V 23A 8SO | 810 Подробнее о заказе |
|
| IRF644SPBF | MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK | 1936 Подробнее о заказе |
|
| C3M0025065K | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET | 1378 Подробнее о заказе |
|
| STP23N80K5 | MOSFET N-CH 800V 16A TO220-3 | 2217 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10999 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.07000 | $3.07 |
| 240 | $3.07000 | $736.8 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.