IPB80N06S4L05ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPB80N06S4L05ATMA2 | IPB80N06S4L05ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S4L05ATMA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB80N06S4L05ATMA2
LIXINC Part #	IPB80N06S4L05ATMA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB80N06S4L05ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB80N06S4L05ATMA2 Технические характеристики

номер части:	IPB80N06S4L05ATMA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 60µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	8180 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	107W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDMS86183	MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN	6838 Подробнее о заказе
BSZ0910LSATMA1	MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON	10937 Подробнее о заказе
IPB80N04S404ATMA1	MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2	988 Подробнее о заказе
STB60NF06LT4	MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK	2359 Подробнее о заказе
DMNH4011SPS-13	MOSFET N-CH 40V 13A PWRDI5060	967 Подробнее о заказе
DMT68M8LPS-13	MOSFET N-CH 60V PWRDI5060	3323 Подробнее о заказе
AO3162	MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23	988 Подробнее о заказе
IPA50R650CEZKSA2	N-CHANNEL POWER MOSFET	804 Подробнее о заказе
SPP02N80C3XKSA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	30088 Подробнее о заказе
IPL65R195C7AUMA1	MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON	3782 Подробнее о заказе
PSMN2R0-30BL,118	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	1021 Подробнее о заказе
PH7030AL,115	MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK56	45852 Подробнее о заказе
FDC6308P	P-CHANNEL MOSFET	42809 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.96495	$0.96495
1000	$0.93536	$935.36

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015