SISA01DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SISA01DN-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SISA01DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SISA01DN-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SISA01DN-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SISA01DN-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SISA01DN-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	22.4A (Ta), 60A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	84 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	+16V, -20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3490 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® 1212-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® 1212-8

FDD6670A	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK	8532 Подробнее о заказе
RF1S45N02LSM	N-CHANNEL POWER MOSFET	1651 Подробнее о заказе
IXFB40N110Q3	MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264	934 Подробнее о заказе
FDN5630	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	126701 Подробнее о заказе
BSP320SH6433XTMA1	MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223	958 Подробнее о заказе
IRFR4104PBF	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	864 Подробнее о заказе
SIUD402ED-T1-GE3	MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806	946 Подробнее о заказе
FQB7N30TM	MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK	10978 Подробнее о заказе
HUF75631SK8T	MOSFET N-CH 100V 5.5A 8SOIC	444333 Подробнее о заказе
IRF7451TRPBF	MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO	9372 Подробнее о заказе
IRF7805PBF	MOSFET N-CH 30V 13A 8SO	942 Подробнее о заказе
IXTH5N100A	MOSFET N-CH 1000V 5A TO247	1165 Подробнее о заказе
IRF710	MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB	20368 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015