Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDN5630

FDN5630
Увеличить

Только для справки

номер части FDN5630
LIXINC Part # FDN5630
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDN5630 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDN5630 Технические характеристики

номер части:FDN5630
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:1.7A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:10 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):500mW (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:SuperSOT-3
упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDN5630 Документы

if FDN5630 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSP320SH6433XTMA1 BSP320SH6433XTMA1 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223 893

Подробнее о заказе
IRFR4104PBF IRFR4104PBF HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET 881

Подробнее о заказе
SIUD402ED-T1-GE3 SIUD402ED-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806 999

Подробнее о заказе
FQB7N30TM FQB7N30TM MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK 10881

Подробнее о заказе
HUF75631SK8T HUF75631SK8T MOSFET N-CH 100V 5.5A 8SOIC 444375

Подробнее о заказе
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO 9326

Подробнее о заказе
IRF7805PBF IRF7805PBF MOSFET N-CH 30V 13A 8SO 933

Подробнее о заказе
IXTH5N100A IXTH5N100A MOSFET N-CH 1000V 5A TO247 1264

Подробнее о заказе
IRF710 IRF710 MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB 20306

Подробнее о заказе
IRFR214TRPBF IRFR214TRPBF MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK 3685

Подробнее о заказе
SQA410EJ-T1_GE3 SQA410EJ-T1_GE3 MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6 3301

Подробнее о заказе
IPA80R310CEXKSA2 IPA80R310CEXKSA2 MOSFET N-CH 800V 16.7A TO220-FP 1324

Подробнее о заказе
RQ6E045TNTR RQ6E045TNTR MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 4448

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 126768 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.16000$0.16
3000$0.05111$153.33
6000$0.04781$286.86
15000$0.04451$667.65
30000$0.04220$1266
75000$0.04197$3147.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top