Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDT86113LZ

FDT86113LZ
Увеличить

Только для справки

номер части FDT86113LZ
LIXINC Part # FDT86113LZ
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDT86113LZ След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDT86113LZ Технические характеристики

номер части:FDT86113LZ
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:3.3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:6.8 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:315 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.2W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:SOT-223-4
упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA

FDT86113LZ Документы

if FDT86113LZ PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQI12N60TU FQI12N60TU MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK 1625

Подробнее о заказе
SIHA21N60EF-E3 SIHA21N60EF-E3 MOSFET N-CH 600V 21A TO220 844

Подробнее о заказе
DMP2104LP-7 DMP2104LP-7 MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411 2147484628

Подробнее о заказе
STH145N8F7-2AG STH145N8F7-2AG MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 868

Подробнее о заказе
FDU6644 FDU6644 N-CHANNEL POWER MOSFET 41877

Подробнее о заказе
IRFR430APBF IRFR430APBF MOSFET N-CH 500V 5A DPAK 1633

Подробнее о заказе
RZQ050P01TR RZQ050P01TR MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6 1499

Подробнее о заказе
MTP20N06V MTP20N06V N-CHANNEL POWER MOSFET 3284

Подробнее о заказе
RM4N650LD RM4N650LD MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2 896

Подробнее о заказе
SI4456DY-T1-E3 SI4456DY-T1-E3 MOSFET N-CH 40V 33A 8SO 3678

Подробнее о заказе
STD5N52U STD5N52U MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK 962

Подробнее о заказе
HUF75623P3 HUF75623P3 MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3 5705

Подробнее о заказе
IRF3708PBF IRF3708PBF HEXFET SMPS POWER MOSFET 14247

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 390024925 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.82000$0.82
4000$0.32697$1307.88
8000$0.30442$2435.36
12000$0.29315$3517.8
28000$0.28700$8036

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top