RM4N650LD | Rectron USA RM4N650LD | RM4N650LD Inventory, Best Pricing

RM4N650LD

Увеличить

Только для справки

номер части	RM4N650LD
LIXINC Part #	RM4N650LD
Производитель	Rectron USA
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RM4N650LD След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RM4N650LD Технические характеристики

номер части:	RM4N650LD
Бренд:	Rectron USA
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rectron USA
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	280 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	46W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-252-2
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.33000	$0.33

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015