TP65H300G4LSG | Transphorm TP65H300G4LSG | TP65H300G4LSG Inventory, Best Pricing

TP65H300G4LSG

Увеличить

Только для справки

номер части	TP65H300G4LSG
LIXINC Part #	TP65H300G4LSG
Производитель	Transphorm
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TP65H300G4LSG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TP65H300G4LSG Технические характеристики

номер части:	TP65H300G4LSG
Бренд:	Transphorm
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Transphorm
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	8V
rds on (max) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.6V @ 500µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
ВГС (макс.):	±18V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	21W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	3-PQFN (8x8)
упаковка / чехол:	3-PowerDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$4.02000	$4.02

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015