IPB60R099P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB60R099P7ATMA1 | IPB60R099P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB60R099P7ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB60R099P7ATMA1
LIXINC Part #	IPB60R099P7ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB60R099P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB60R099P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB60R099P7ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ P7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	31A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	99mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 530µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	45 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1952 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	117W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDWS9510L-F085	MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN	801 Подробнее о заказе
3LP03M-TL-E	P-CHANNEL SILICON MOSFET	6935 Подробнее о заказе
STFI15NM65N	MOSFET N-CH 650V 12A I2PAKFP	1282 Подробнее о заказе
DMTH6016LK3Q-13	MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R	806 Подробнее о заказе
NTMFS5C604NLT3G	MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN	34936 Подробнее о заказе
SSM3J15FS,LF	MOSFET P-CH 30V 100MA SSM	5165 Подробнее о заказе
SSM6J402TU,LF	MOSFET P-CH 30V 2A UF6	6816 Подробнее о заказе
NVMFS5C450NLWFT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	3189 Подробнее о заказе
STD3N62K3	MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK	3220 Подробнее о заказе
IRFIZ44GPBF	MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3	844 Подробнее о заказе
CPH3430-TL-E	MOSFET N-CH 60V 2A 3CPH	29801 Подробнее о заказе
FQI13N50CTU	MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK	3508963 Подробнее о заказе
IPN60R3K4CEATMA1	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223	15165 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015