Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPN60R3K4CEATMA1

IPN60R3K4CEATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPN60R3K4CEATMA1
LIXINC Part # IPN60R3K4CEATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPN60R3K4CEATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPN60R3K4CEATMA1 Технические характеристики

номер части:IPN60R3K4CEATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2.6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 40µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:4.6 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:93 pF @ 100 V
Фет-функция:Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.):5W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223
упаковка / чехол:SOT-223-3

IPN60R3K4CEATMA1 Документы

if IPN60R3K4CEATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TSM80N1R2CH C5G TSM80N1R2CH C5G MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251 4542

Подробнее о заказе
RFD3055LE RFD3055LE MOSFET N-CH 60V 11A IPAK 24928180

Подробнее о заказе
IRFIZ48GPBF IRFIZ48GPBF MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3 1859

Подробнее о заказе
IRFB4110GPBF IRFB4110GPBF MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 862

Подробнее о заказе
ECH8320-TL-H ECH8320-TL-H MOSFET P-CH 20V 9.5A SOT28FL 12850

Подробнее о заказе
PMZ290UNEYL PMZ290UNEYL EFFECT TRANSISTOR, 1.2A I(D), 20 1609845

Подробнее о заказе
IXFN48N60P IXFN48N60P MOSFET N-CH 600V 40A SOT227B 909

Подробнее о заказе
APT37F50B APT37F50B MOSFET N-CH 500V 37A TO247 865

Подробнее о заказе
2N7002H-7 2N7002H-7 MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23 2147484540

Подробнее о заказе
AOT25S65L AOT25S65L MOSFET N-CH 650V 25A TO220 802

Подробнее о заказе
SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11 SICFET N-CH 650V 39A TO247N 1479

Подробнее о заказе
TK22E10N1,S1X TK22E10N1,S1X MOSFET N CH 100V 52A TO220 980

Подробнее о заказе
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3 1404

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15177 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.47000$0.47
3000$0.18981$569.43
6000$0.17879$1072.74
15000$0.16777$2516.55
30000$0.16006$4801.8

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top