Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD110N12N3GATMA1
LIXINC Part # IPD110N12N3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD110N12N3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD110N12N3GATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD110N12N3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):120 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:75A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 83µA (Typ)
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:65 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4310 pF @ 60 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD110N12N3GATMA1 Документы

if IPD110N12N3GATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTD78N03R-001 NTD78N03R-001 N-CHANNEL POWER MOSFET 3726

Подробнее о заказе
NVMFS5C645NLAFT3G NVMFS5C645NLAFT3G MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN 907

Подробнее о заказе
PMN20ENAX PMN20ENAX MOSFET N-CH 40V 6.2A 6TSOP 6691

Подробнее о заказе
SQD50N04-5M6_T4GE3 SQD50N04-5M6_T4GE3 MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA 982

Подробнее о заказе
STL13N65M2 STL13N65M2 MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT 971

Подробнее о заказе
SPP20N60CFDXKSA1 SPP20N60CFDXKSA1 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 953

Подробнее о заказе
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 2780

Подробнее о заказе
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 MOSFET N-CH 650V 8A TO263 3105

Подробнее о заказе
EPC8002 EPC8002 GANFET N-CH 65V 2A DIE 23283

Подробнее о заказе
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 MOSFET N-CH 250V 65A TO263 902

Подробнее о заказе
AOB11S65L AOB11S65L MOSFET N-CH 650V 11A TO263 825

Подробнее о заказе
BUK9E4R4-80E,127 BUK9E4R4-80E,127 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK 1126

Подробнее о заказе
IRF530SPBF IRF530SPBF MOSFET N-CH 100V 14A TO263 995

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10814 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.16000$2.16
2500$1.02790$2569.75
5000$0.98983$4949.15

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top