Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB180N10S402ATMA1
LIXINC Part # IPB180N10S402ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB180N10S402ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB180N10S402ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB180N10S402ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 275µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:200 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:14600 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IPB180N10S402ATMA1 Документы

if IPB180N10S402ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 MOSFET N-CH 650V 8A TO263 3134

Подробнее о заказе
EPC8002 EPC8002 GANFET N-CH 65V 2A DIE 23189

Подробнее о заказе
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 MOSFET N-CH 250V 65A TO263 971

Подробнее о заказе
AOB11S65L AOB11S65L MOSFET N-CH 650V 11A TO263 810

Подробнее о заказе
BUK9E4R4-80E,127 BUK9E4R4-80E,127 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK 1159

Подробнее о заказе
IRF530SPBF IRF530SPBF MOSFET N-CH 100V 14A TO263 993

Подробнее о заказе
STP62NS04Z STP62NS04Z MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB 2283

Подробнее о заказе
BUK9245-55A/C1118 BUK9245-55A/C1118 N-CHANNEL POWER MOSFET 15839

Подробнее о заказе
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4 1722

Подробнее о заказе
MTM862270LBF MTM862270LBF MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6-F1 1968

Подробнее о заказе
FDZ294N FDZ294N MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA 54413

Подробнее о заказе
FDI030N06 FDI030N06 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 899

Подробнее о заказе
NTP5864NG NTP5864NG MOSFET N-CH 60V 63A TO220AB 917

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12687 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$5.38000$5.38
1000$3.43217$3432.17
2000$3.26056$6521.12

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top