Только для справки
| номер части | TK10P60W,RVQ |
| LIXINC Part # | TK10P60W,RVQ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK10P60W,RVQ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK10P60W,RVQ |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | DTMOSIV |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 9.7A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 430mOhm @ 4.9A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.7V @ 500µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 700 pF @ 300 V |
| Фет-функция: | Super Junction |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 80W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DPAK |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| PSMN7R0-30YL115/BKN | N-CHANNEL POWER MOSFET | 854 Подробнее о заказе |
|
| H5N2901FN-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4164 Подробнее о заказе |
|
| ZXMP10A17E6QTA | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 | 309766815 Подробнее о заказе |
|
| BSP613PH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 | 813 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4835NT1G | MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN | 2147484582 Подробнее о заказе |
|
| PMN35EN,115 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 212077 Подробнее о заказе |
|
| IPD380P06NMATMA1 | MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3 | 803 Подробнее о заказе |
|
| IRLR024TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | 872 Подробнее о заказе |
|
| DMN10H120SFG-13 | MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 | 858 Подробнее о заказе |
|
| IXFN32N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B | 935 Подробнее о заказе |
|
| IXTA3N120-TRL | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 | 3360 Подробнее о заказе |
|
| NDF08N50ZH | MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP | 259879 Подробнее о заказе |
|
| BSS84,215 | MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB | 43639 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12371 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.89000 | $2.89 |
| 2000 | $1.29211 | $2584.22 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.