Только для справки
| номер части | SIRA32DP-T1-RE3 |
| LIXINC Part # | SIRA32DP-T1-RE3 |
| Производитель | Vishay / Siliconix |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SIRA32DP-T1-RE3 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SIRA32DP-T1-RE3 |
| Бренд: | Vishay / Siliconix |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Vishay / Siliconix |
| ряд: | TrenchFET® Gen IV |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 25 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 60A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.2mOhm @ 15A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 83 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | +16V, -12V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4450 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 65.7W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SO-8 |
| упаковка / чехол: | PowerPAK® SO-8 |
| 2SK4198LS | MOSFET N-CH 600V 5A TO220FI | 906 Подробнее о заказе |
|
| IRFB4137PBF | MOSFET N-CH 300V 38A TO220 | 989 Подробнее о заказе |
|
| PSMN5R8-30LL,115 | MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN | 943 Подробнее о заказе |
|
| NTD30N02G | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK | 5602 Подробнее о заказе |
|
| IRLR120TRL | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | 846 Подробнее о заказе |
|
| FCD7N60TM-WS | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK | 2586 Подробнее о заказе |
|
| SSM3K127TU,LF | MOSFET N-CH 30V 2A UFM | 5972 Подробнее о заказе |
|
| IPI320N203G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1190 Подробнее о заказе |
|
| STI20N65M5 | MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK | 910 Подробнее о заказе |
|
| IXTA1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263 | 1966 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS4C05NT3G | MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN | 5838 Подробнее о заказе |
|
| IXTH360N055T2 | MOSFET N-CH 55V 360A TO247 | 1866 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1657-T1B-A | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 71730 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11941 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.11000 | $1.11 |
| 3000 | $0.52145 | $1564.35 |
| 6000 | $0.49697 | $2981.82 |
| 15000 | $0.47948 | $7192.2 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.