NP36P04SDG-E1-AY | Renesas Electronics America NP36P04SDG-E1-AY | NP36P04SDG-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP36P04SDG-E1-AY

Увеличить

Только для справки

номер части	NP36P04SDG-E1-AY
LIXINC Part #	NP36P04SDG-E1-AY
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NP36P04SDG-E1-AY След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NP36P04SDG-E1-AY Технические характеристики

номер части:	NP36P04SDG-E1-AY
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	36A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	17mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2800 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.2W (Ta), 56W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-252 (MP-3ZK)
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSS138W-7-F	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323	353161 Подробнее о заказе
IRFH5215TRPBF	MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN	1827 Подробнее о заказе
IXFN64N50P	MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B	1224 Подробнее о заказе
VP2450N8-G	MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA	847 Подробнее о заказе
TSM80N950CH C5G	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251	4167 Подробнее о заказе
RAL025P01TCR	MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6	1294 Подробнее о заказе
C3M0016120D	SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3	801 Подробнее о заказе
ECH8305-TL-E	MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH	72920 Подробнее о заказе
FDBL86363-F085	MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF	28885 Подробнее о заказе
ZXMN6A25GTA	MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223	13465 Подробнее о заказе
FCP650N80Z	MOSFET N-CH 800V 10A TO220	6573342 Подробнее о заказе
CSD17575Q3T	MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON	5069 Подробнее о заказе
FDD8874	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3	32081 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.64207	$0.64207

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015