Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB60R099CPAATMA1
LIXINC Part # IPB60R099CPAATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB60R099CPAATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jun 17 - Jun 21 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB60R099CPAATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB60R099CPAATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:31A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:105mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 1.2mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2800 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):255W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB60R099CPAATMA1 Документы

if IPB60R099CPAATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BUK7215-55A,118 BUK7215-55A,118 MOSFET N-CH 55V 55A DPAK 1017

Подробнее о заказе
5LN01SS-TL-E 5LN01SS-TL-E N-CHANNEL SILICON MOSFET 8886

Подробнее о заказе
R6020ENX R6020ENX MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 1176

Подробнее о заказе
2SK1658-T1-A 2SK1658-T1-A MOSFET N-CH 30V 100MA SC70-3 SSP 3912

Подробнее о заказе
NTP6412ANG NTP6412ANG MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB 1118

Подробнее о заказе
CSD16342Q5A CSD16342Q5A MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 3549

Подробнее о заказе
5HN01M-TL-E-SA 5HN01M-TL-E-SA MOSFET N-CH 50V 100MA MCP 246988

Подробнее о заказе
IPP65R280E6 IPP65R280E6 N-CHANNEL POWER MOSFET 833

Подробнее о заказе
NVTFS5124PLWFTWG NVTFS5124PLWFTWG MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN 930

Подробнее о заказе
FDC602P FDC602P MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 11130

Подробнее о заказе
IXTH20P50P IXTH20P50P MOSFET P-CH 500V 20A TO247 3188

Подробнее о заказе
ATP103-TL-H ATP103-TL-H MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK 28646948

Подробнее о заказе
AOT10N60 AOT10N60 MOSFET N-CH 600V 10A TO220 944

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11338 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$7.65000$7.65
1000$4.59562$4595.62

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top