Только для справки
| номер части | IPB60R099CPAATMA1 |
| LIXINC Part # | IPB60R099CPAATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB60R099CPAATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB60R099CPAATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 31A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 105mOhm @ 18A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 1.2mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 80 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2800 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 255W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| BUK7215-55A,118 | MOSFET N-CH 55V 55A DPAK | 967 Подробнее о заказе |
|
| 5LN01SS-TL-E | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 8953 Подробнее о заказе |
|
| R6020ENX | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM | 1155 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1658-T1-A | MOSFET N-CH 30V 100MA SC70-3 SSP | 3905 Подробнее о заказе |
|
| NTP6412ANG | MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB | 1103 Подробнее о заказе |
|
| CSD16342Q5A | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | 3568 Подробнее о заказе |
|
| 5HN01M-TL-E-SA | MOSFET N-CH 50V 100MA MCP | 246816 Подробнее о заказе |
|
| IPP65R280E6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 850 Подробнее о заказе |
|
| NVTFS5124PLWFTWG | MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN | 803 Подробнее о заказе |
|
| FDC602P | MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 | 11298 Подробнее о заказе |
|
| IXTH20P50P | MOSFET P-CH 500V 20A TO247 | 3251 Подробнее о заказе |
|
| ATP103-TL-H | MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK | 28646993 Подробнее о заказе |
|
| AOT10N60 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 928 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11253 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $7.65000 | $7.65 |
| 1000 | $4.59562 | $4595.62 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.