Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB26CN10NGATMA1

IPB26CN10NGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB26CN10NGATMA1
LIXINC Part # IPB26CN10NGATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB26CN10NGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB26CN10NGATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB26CN10NGATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:35A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:26mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 39µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2.07 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):71W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB26CN10NGATMA1 Документы

if IPB26CN10NGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDMS86350 FDMS86350 MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56 22650

Подробнее о заказе
APTM120U10SAG APTM120U10SAG MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 823

Подробнее о заказе
EPC2016C EPC2016C GANFET N-CH 100V 18A DIE 135510

Подробнее о заказе
STF11NM60ND STF11NM60ND MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP 1146

Подробнее о заказе
IXTP10P15T IXTP10P15T MOSFET P-CH 150V 10A TO220AB 4382

Подробнее о заказе
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099 - OPTLMOS N-CHANNEL 26201

Подробнее о заказе
R6509KNJTL R6509KNJTL MOSFET N-CH 650V 9A LPTS 1051

Подробнее о заказе
RD3H045SPTL1 RD3H045SPTL1 MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252 2410

Подробнее о заказе
IPP65R190C7FKSA1 IPP65R190C7FKSA1 MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3 1019

Подробнее о заказе
STD70N10F4 STD70N10F4 MOSFET N-CH 100V 60A DPAK 880

Подробнее о заказе
FDMA7670 FDMA7670 MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET 5126

Подробнее о заказе
TSM60N900CH C5G TSM60N900CH C5G MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251 828

Подробнее о заказе
BUK9Y58-75B,115 BUK9Y58-75B,115 MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56 51750

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12898 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.52000$0.52

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top