Только для справки
| номер части | SPW20N60C3FKSA1 |
| LIXINC Part # | SPW20N60C3FKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SPW20N60C3FKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SPW20N60C3FKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 20.7A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.9V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 114 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2400 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 208W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO247-3 |
| упаковка / чехол: | TO-247-3 |
| IPB015N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 | 3068 Подробнее о заказе |
|
| FDB9503L-F085 | MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK | 909 Подробнее о заказе |
|
| IPW90R500C3FKSA1 | MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 | 932 Подробнее о заказе |
|
| CSD25404Q3T | MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON | 20093 Подробнее о заказе |
|
| DMP3125L-7 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 | 2454 Подробнее о заказе |
|
| SI7884BDP-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 | 6073 Подробнее о заказе |
|
| FKP330C | MOSFET N-CH 330V 30A TO3P | 980 Подробнее о заказе |
|
| SI8472DB-T2-E1 | MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT | 10879 Подробнее о заказе |
|
| DMTH10H009SPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 921 Подробнее о заказе |
|
| MCM1206-TP | MOSFET P-CH 12V 6A DFN2020-6J | 936 Подробнее о заказе |
|
| C3M0075120K | SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L | 928 Подробнее о заказе |
|
| EPC8010 | GANFET N-CH 100V 2.7A DIE | 6220 Подробнее о заказе |
|
| FCH22N60N | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 | 2017434 Подробнее о заказе |
| В наличии | 17478 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $6.15000 | $6.15 |
| 10 | $5.52960 | $55.296 |
| 100 | $4.59875 | $459.875 |
| 500 | $3.79183 | $1895.915 |
| 1000 | $3.25391 | $3253.91 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.