Только для справки
| номер части | TPH6R30ANL,L1Q |
| LIXINC Part # | TPH6R30ANL,L1Q |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TPH6R30ANL,L1Q След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TPH6R30ANL,L1Q |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVIII-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 66A (Ta), 45A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 6.3mOhm @ 22.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 500µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 55 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4300 pF @ 50 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta), 54W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-SOP Advance (5x5) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerVDFN |
| SIHA17N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 7A TO220 | 1922 Подробнее о заказе |
|
| IPI65R310CFD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 11688 Подробнее о заказе |
|
| APT77N60SC6 | MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK | 966 Подробнее о заказе |
|
| IRL60B216 | MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB | 1672 Подробнее о заказе |
|
| SIRA60DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 | 6501 Подробнее о заказе |
|
| DMG7702SFG-13 | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 | 6914 Подробнее о заказе |
|
| DMN62D1SFB-7B | MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN | 4000 Подробнее о заказе |
|
| RM8A5P60S8 | MOSFET P-CHANNEL 60V 8.5A 8SOP | 869 Подробнее о заказе |
|
| ISL9N307AS3ST | N-CHANNEL POWER MOSFET | 838 Подробнее о заказе |
|
| IRF7413ZPBF | MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | 4795 Подробнее о заказе |
|
| UPA2755GR-E2-AT | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10874 Подробнее о заказе |
|
| DMT10H015LFG-7 | MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 | 5362 Подробнее о заказе |
|
| RJK60S7DPK-M0#T0 | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG | 48105 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10919 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.45450 | $0.4545 |
| 5000 | $0.45450 | $2272.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.