DMT10H015LFG-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Увеличить

Только для справки

номер части	DMT10H015LFG-7
LIXINC Part #	DMT10H015LFG-7
Производитель	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DMT10H015LFG-7 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DMT10H015LFG-7 Технические характеристики

номер части:	DMT10H015LFG-7
Бренд:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Ta), 42A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	13.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	33.3 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1871 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2W (Ta), 35W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerDI3333-8
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015