NTMFS5H610NLT1G

NTMFS5H610NLT1G
Увеличить

Только для справки

номер части NTMFS5H610NLT1G
LIXINC Part # NTMFS5H610NLT1G
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NTMFS5H610NLT1G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTMFS5H610NLT1G Технические характеристики

номер части:NTMFS5H610NLT1G
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:12A (Ta) 44A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 40µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:13.7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:880 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3W (Ta), 43W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN, 5 Leads

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRLU3105PBF IRLU3105PBF MOSFET N-CH 55V 25A IPAK 899

Подробнее о заказе

IRF730STRRPBF IRF730STRRPBF MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK 859

Подробнее о заказе

IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK 5259

Подробнее о заказе

STD16N65M5 STD16N65M5 MOSFET N-CH 650V 12A DPAK 830

Подробнее о заказе

FDMA530PZ FDMA530PZ POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 2859

Подробнее о заказе

IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 858

Подробнее о заказе

PSMN030-150B,118 PSMN030-150B,118 MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK 10402

Подробнее о заказе

FCPF260N60E FCPF260N60E POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 904

Подробнее о заказе

RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA 6537

Подробнее о заказе

RFD7N10LE RFD7N10LE N-CHANNEL POWER MOSFET 6793

Подробнее о заказе

PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 990

Подробнее о заказе

TK6A53D(STA4,Q,M) TK6A53D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS 1000

Подробнее о заказе

RRF015P03TL RRF015P03TL MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 949

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 14645386 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.49000$1.49
1500$0.70488$1057.32
3000$0.65789$1973.67
7500$0.62500$4687.5
10500$0.60150$6315.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top