RFD16N06LESM9A

RFD16N06LESM9A
Увеличить

Только для справки

номер части RFD16N06LESM9A
LIXINC Part # RFD16N06LESM9A
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD RFD16N06LESM9A След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RFD16N06LESM9A Технические характеристики

номер части:RFD16N06LESM9A
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:16A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):5V
rds on (max) @ id, vgs:47mOhm @ 16A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:62 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+10V, -8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1350 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):90W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:TO-252AA
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

RFD7N10LE RFD7N10LE N-CHANNEL POWER MOSFET 6769

Подробнее о заказе

PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 828

Подробнее о заказе

TK6A53D(STA4,Q,M) TK6A53D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS 947

Подробнее о заказе

RRF015P03TL RRF015P03TL MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 980

Подробнее о заказе

BUK652R0-30C,127 BUK652R0-30C,127 MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB 4025

Подробнее о заказе

NTMFS5C604NLT1G NTMFS5C604NLT1G POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 4147

Подробнее о заказе

FQPF33N10 FQPF33N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 978

Подробнее о заказе

STI57N65M5 STI57N65M5 MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK 923

Подробнее о заказе

SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO 4712

Подробнее о заказе

IXTA90N075T2-TRL IXTA90N075T2-TRL MOSFET N-CH 75V 90A TO263 804

Подробнее о заказе

BSB014N04LX3GXUMA1 BSB014N04LX3GXUMA1 MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON 5764

Подробнее о заказе

PSMN6R5-30MLDX PSMN6R5-30MLDX MOSFET N-CH 30V 65A LFPAK33 929

Подробнее о заказе

NX5008NBKMYL NX5008NBKMYL MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3 911

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 16459 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.48000$1.48
2500$0.70538$1763.45
5000$0.67206$3360.3
12500$0.64825$8103.125

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top