Только для справки
| номер части | IPN80R900P7ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPN80R900P7ATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPN80R900P7ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPN80R900P7ATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ P7 |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 110µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 350 pF @ 500 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 7W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-SOT223 |
| упаковка / чехол: | TO-261-3 |
| BUZ73AE3046 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 849 Подробнее о заказе |
|
| SQ4850EY-T1_GE3 | MOSFET N-CH 60V 12A 8SO | 3297 Подробнее о заказе |
|
| APT10M19BVRG | MOSFET N-CH 100V 75A TO247 | 817 Подробнее о заказе |
|
| IPA60R199CPXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP | 963 Подробнее о заказе |
|
| BUK7212-55B,118 | MOSFET N-CH 55V 75A DPAK | 935 Подробнее о заказе |
|
| EPC2039 | GANFET N-CH 80V 6.8A DIE | 89972 Подробнее о заказе |
|
| AON6510 | MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN | 1313 Подробнее о заказе |
|
| IRF840LCSTRRPBF | MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB | 818 Подробнее о заказе |
|
| 2SK209-Y(TE85L,F) | MOSFET N-CH 10V 14MA SC59 | 12185 Подробнее о заказе |
|
| PSMN130-200D,118-NEX | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 848 Подробнее о заказе |
|
| PMZB670UPE,315 | MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 | 30427 Подробнее о заказе |
|
| STW21NM60ND | MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3 | 1001 Подробнее о заказе |
|
| SQ1470AEH-T1_GE3 | MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70 | 6306 Подробнее о заказе |
| В наличии | 16293 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.24000 | $1.24 |
| 3000 | $0.61327 | $1839.81 |
| 6000 | $0.58598 | $3515.88 |
| 15000 | $0.56648 | $8497.2 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.