Только для справки
| номер части | IPA60R199CPXKSA1 |
| LIXINC Part # | IPA60R199CPXKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPA60R199CPXKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPA60R199CPXKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Not For New Designs |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 16A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 1.1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 43 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1520 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 34W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO220-FP |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
| BUK7212-55B,118 | MOSFET N-CH 55V 75A DPAK | 824 Подробнее о заказе |
|
| EPC2039 | GANFET N-CH 80V 6.8A DIE | 90017 Подробнее о заказе |
|
| AON6510 | MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN | 1397 Подробнее о заказе |
|
| IRF840LCSTRRPBF | MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB | 907 Подробнее о заказе |
|
| 2SK209-Y(TE85L,F) | MOSFET N-CH 10V 14MA SC59 | 12305 Подробнее о заказе |
|
| PSMN130-200D,118-NEX | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 927 Подробнее о заказе |
|
| PMZB670UPE,315 | MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 | 30381 Подробнее о заказе |
|
| STW21NM60ND | MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3 | 1086 Подробнее о заказе |
|
| SQ1470AEH-T1_GE3 | MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70 | 6379 Подробнее о заказе |
|
| UPA2521T1H-T2-AT | MOSFET N-CH 30V 8A 8VSOF | 84889 Подробнее о заказе |
|
| SSM6J502NU,LF | MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB | 3043 Подробнее о заказе |
|
| APT8015JVR | MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP | 839 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS5C406NLT1G | MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN | 906 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10910 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.81000 | $3.81 |
| 500 | $2.73667 | $1368.335 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.