BSZ0702LSATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ0702LSATMA1 | BSZ0702LSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ0702LSATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSZ0702LSATMA1
LIXINC Part #	BSZ0702LSATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSZ0702LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSZ0702LSATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSZ0702LSATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	17A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.3V @ 36µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3100 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TSDSON-8-FL
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

SUD25N15-52-E3	MOSFET N-CH 150V 25A TO252	4153 Подробнее о заказе
PSMN8R7-100YSFX	MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56	803 Подробнее о заказе
IPD038N06N3GATMA1	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3	1509 Подробнее о заказе
SIS782DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8	3221 Подробнее о заказе
BUK7528-100A,127	PFET, 47A I(D), 100V, 0.028OHM,	6441 Подробнее о заказе
DMP3017SFGQ-13	MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333	3843 Подробнее о заказе
BSH205,215	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	331317 Подробнее о заказе
AOW12N65	MOSFET N-CH 650V 12A TO262	933 Подробнее о заказе
AOWF12N50	MOSFET N-CH 500V 12A TO262F	825 Подробнее о заказе
STB75NF20	MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK	977 Подробнее о заказе
BSZ120P03NS3GATMA1	MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON	2645 Подробнее о заказе
IPB80N06S4L05ATMA1	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3	898 Подробнее о заказе
SQ2398ES-T1_GE3	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3	159328 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.31000	$1.31

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015