IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD038N06N3GATMA1
LIXINC Part # IPD038N06N3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD038N06N3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD038N06N3GATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD038N06N3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:3.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:98 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:8000 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):188W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIS782DN-T1-GE3 SIS782DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 3253

Подробнее о заказе

BUK7528-100A,127 BUK7528-100A,127 PFET, 47A I(D), 100V, 0.028OHM, 6378

Подробнее о заказе

DMP3017SFGQ-13 DMP3017SFGQ-13 MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 3857

Подробнее о заказе

BSH205,215 BSH205,215 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 331413

Подробнее о заказе

AOW12N65 AOW12N65 MOSFET N-CH 650V 12A TO262 921

Подробнее о заказе

AOWF12N50 AOWF12N50 MOSFET N-CH 500V 12A TO262F 912

Подробнее о заказе

STB75NF20 STB75NF20 MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK 945

Подробнее о заказе

BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON 2678

Подробнее о заказе

IPB80N06S4L05ATMA1 IPB80N06S4L05ATMA1 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 952

Подробнее о заказе

SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 159235

Подробнее о заказе

STWA40N95DK5 STWA40N95DK5 MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 905

Подробнее о заказе

NTMFS4922NET1G NTMFS4922NET1G MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN 83851

Подробнее о заказе

MMFTP84 MMFTP84 MOSFET P-CH 60V 130MA SOT23-3 3845

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11665 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.76000$1.76
2500$0.86129$2153.225
5000$0.81822$4091.1
12500$0.78746$9843.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top