DMN1032UCB4-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Увеличить

Только для справки

номер части	DMN1032UCB4-7
LIXINC Part #	DMN1032UCB4-7
Производитель	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DMN1032UCB4-7 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DMN1032UCB4-7 Технические характеристики

номер части:	DMN1032UCB4-7
Бренд:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	12 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4.8A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	4.5 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	450 pF @ 6 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	900mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	U-WLB1010-4
упаковка / чехол:	4-UFBGA, WLBGA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015