Только для справки
| номер части | SSM3J114TU(T5L,T) |
| LIXINC Part # | SSM3J114TU(T5L,T) |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SSM3J114TU(T5L,T) След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SSM3J114TU(T5L,T) |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 1.8A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 1.5V, 4V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 149mOhm @ 600mA, 4V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 7.7 nC @ 4 V |
| ВГС (макс.): | ±8V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 331 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 500mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | UFM |
| упаковка / чехол: | 3-SMD, Flat Lead |
| ZXMN2B03E6TA | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6 | 1722 Подробнее о заказе |
|
| SISS27ADN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S | 3791 Подробнее о заказе |
|
| RS1L180GNTB | MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP | 3363 Подробнее о заказе |
|
| CSD19536KTTT | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK | 1317 Подробнее о заказе |
|
| FQD10N20CTM | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | 995 Подробнее о заказе |
|
| APT44F80L | MOSFET N-CH 800V 47A TO264 | 981 Подробнее о заказе |
|
| IXFP20N85X | MOSFET N-CH 850V 20A TO220AB | 934 Подробнее о заказе |
|
| NTB45N06 | MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK-3 | 907 Подробнее о заказе |
|
| SIHFR9024TR-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK | 899 Подробнее о заказе |
|
| RF1S23N06LESM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6376 Подробнее о заказе |
|
| IRF430 | 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA | 9200 Подробнее о заказе |
|
| SI8821EDB-T2-E1 | MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT | 1082 Подробнее о заказе |
|
| 2N7000RLRMG | MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 | 998 Подробнее о заказе |
| В наличии | 15823 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.42000 | $0.42 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.