Только для справки
| номер части | CSD19536KTTT |
| LIXINC Part # | CSD19536KTTT |
| Производитель | Texas Instruments |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | CSD19536KTTT След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | CSD19536KTTT |
| Бренд: | Texas Instruments |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Texas Instruments |
| ряд: | NexFET™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 200A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 153 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 12000 pF @ 50 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 375W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DDPAK/TO-263-3 |
| упаковка / чехол: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| FQD10N20CTM | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | 939 Подробнее о заказе |
|
| APT44F80L | MOSFET N-CH 800V 47A TO264 | 836 Подробнее о заказе |
|
| IXFP20N85X | MOSFET N-CH 850V 20A TO220AB | 972 Подробнее о заказе |
|
| NTB45N06 | MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK-3 | 825 Подробнее о заказе |
|
| SIHFR9024TR-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK | 862 Подробнее о заказе |
|
| RF1S23N06LESM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6401 Подробнее о заказе |
|
| IRF430 | 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA | 9072 Подробнее о заказе |
|
| SI8821EDB-T2-E1 | MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT | 1066 Подробнее о заказе |
|
| 2N7000RLRMG | MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 | 865 Подробнее о заказе |
|
| SI2309CDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 | 5429 Подробнее о заказе |
|
| NTB13N10G | MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK | 880 Подробнее о заказе |
|
| NDT3055L | FET 60V 1.0 MOHM SOT223 | 10466 Подробнее о заказе |
|
| IPI041N12N3G | IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL P | 1341 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11381 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $6.17000 | $6.17 |
| 50 | $4.54340 | $227.17 |
| 100 | $4.14852 | $414.852 |
| 250 | $3.75331 | $938.3275 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.