Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD90N04S4L04ATMA1

IPD90N04S4L04ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD90N04S4L04ATMA1
LIXINC Part # IPD90N04S4L04ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD90N04S4L04ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD90N04S4L04ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD90N04S4L04ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 35µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+20V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4690 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):71W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-313
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD90N04S4L04ATMA1 Документы

if IPD90N04S4L04ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP 7038

Подробнее о заказе
RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 2049

Подробнее о заказе
2SK3019TL 2SK3019TL MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 305035

Подробнее о заказе
BUK964R4-40B,118 BUK964R4-40B,118 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 9634

Подробнее о заказе
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 106094908

Подробнее о заказе
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 38364

Подробнее о заказе
NXV75UPR NXV75UPR NXV75UP/SOT23/TO-236AB 3099

Подробнее о заказе
SPW12N50C3FKSA1 SPW12N50C3FKSA1 MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3 1185

Подробнее о заказе
NDS351AN NDS351AN MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 8216

Подробнее о заказе
STL7N6LF3 STL7N6LF3 MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT 6118

Подробнее о заказе
SI8429DB-T1-E1 SI8429DB-T1-E1 MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT 12945

Подробнее о заказе
AOB288L AOB288L MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO263 824

Подробнее о заказе
RM50P30D3 RM50P30D3 MOSFET P-CHANNEL 30V 50A 8DFN 866

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10861 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.02000$1.02
2500$0.46056$1151.4
5000$0.43753$2187.65
12500$0.42108$5263.5
25000$0.41868$10467

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top