Только для справки
| номер части | IPB80R290C3AATMA2 |
| LIXINC Part # | IPB80R290C3AATMA2 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | IPB80R290 - OPTLMOS N-CHANNEL |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB80R290C3AATMA2 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB80R290C3AATMA2 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 17A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 290mOhm @ 11A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.9V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 117 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2.3 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 227W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 2SK3980-TD-E | N-CHANNEL MOSFET | 13871 Подробнее о заказе |
|
| SI4378DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 19A 8SO | 851 Подробнее о заказе |
|
| DMT15H067SSS-13 | MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO | 887 Подробнее о заказе |
|
| SIS415DNT-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 | 915 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N06S208ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 | 2890 Подробнее о заказе |
|
| 5LP01C-TB-E | MOSFET P-CH 50V 70MA 3CP | 7328 Подробнее о заказе |
|
| NTNS3164NZT5G | MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883 | 10710 Подробнее о заказе |
|
| IXFT26N100XHV | MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV | 1622 Подробнее о заказе |
|
| IRF530STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK | 3851 Подробнее о заказе |
|
| AON6260 | MOSFET N-CH 60V 41A/85A 8DFN | 866 Подробнее о заказе |
|
| TK7A60W,S4VX | MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS | 816 Подробнее о заказе |
|
| SI4143DY-T1-GE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO | 19807 Подробнее о заказе |
|
| IPP200N25N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 | 4129 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11857 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.31000 | $2.31 |
| 1000 | $2.31000 | $2310 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.